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霍尔传感器具有的抗外磁场干扰能力
更新时间:2018-04-19   点击次数:4680次
  霍尔传感器具有的抗外磁场干扰能力
  
  霍尔传感器是基于半导体的传感器,原理是响应磁场的变化而改变感应电压。这类传感器将霍尔效应传感元件结合到电路中,以提供个对应磁场变化而感应的数字开/关或模拟输出信号,而无需运动部件。
  
  不同于磁簧开关,霍尔效应器件含有源电路,因此始终需要少量的电流。霍尔效应器件是可编程的,可以以方式加以使用以获得多种输出,包括数字、模拟和速度感测。
  
  (1)、在大多数场合,霍尔传感器都具有的抗外磁场干扰能力,般在距离模块5-10cm之间存在个两倍于工作电流Ip的电流所产生的磁场干扰是可以忽略的,但当有强的磁场干扰时,要采取适当的措施来解决。通常方法有:
  
  ①调整模块方向,使外磁场对模块的影响zui小;
  
  ②在模块上加罩个抗磁场的金属罩;
  
  ③选用带双霍尔元件或多霍尔元件的模块电源维修;
  
  (2)、为了得到较好的动态特和灵敏度,必须注意原边线圈和副边线圈的耦合,要耦合得好,用单根导线且导线填满霍尔传感器模块孔径。
  
  (3)、使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈,且次电路没有接通电源|稳压器或副边开路,则其磁路被磁化,而产生剩磁,影响测量(故使用时要先接通电源和测量端M),发生这种情况时,要行退磁处理。其方法是次边电路不加电源,而在原边线圈中通同样等大小的交流电流并逐渐减小其值。
  
  (4)、测量的*是在额定值下得到的,当被测电流远低于额定值时,要获得*,原边可使用多匝,即:IpNp=额定安匝数。另外,原边馈线温度不应过80℃。
  
  
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